MJD44H11T4G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
80 V
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
85 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
5 V
Reihe:
MJD44H11
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
Die MJD44H11T4G, von onsemi, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: