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Gleichrichter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MBRS2040LT3G |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
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Einheitlich
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B340LA-13-F |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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MURA120T3G |
DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
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Einheitlich
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B1100LB-13-F |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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MBR2H200SFT3G |
DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
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Einheitlich
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MBR0520LT1G |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
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Einheitlich
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ES1J_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
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Panjit International Inc.
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BAS16HT1G |
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
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Panjit International Inc.
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BAS116E6327HTSA1 |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erfolgt ist.
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Infineon Technologies
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RB160M-60TR |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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ISL9R3060G2 |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
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Einheitlich
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FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
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Sanken Electric USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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ZHCS2000TA |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
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Rohm Halbleiter
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SK54 |
DIODE SCHOTTKY 40V SMC
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SMC-Diodenlösungen
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS2100-7 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A PWRDI123
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Dioden eingebunden
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APT15D100KG |
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220
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Mikrochiptechnik
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Die Ausrüstung ist in Form von |
DIODE GP 1.2KV 30A TO220
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Mikrochiptechnik
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APT15DQ120KG |
DIODE GP 1.2KV 15A TO220
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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ES1006FL_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
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Panjit International Inc.
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RB162VAM-20TR |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M
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Rohm Halbleiter
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1N4148WS_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323
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Panjit International Inc.
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B340AF-13 |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMAF
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Dioden eingebunden
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FDLL300A |
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
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Einheitlich
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RS3M |
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
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Taiwan Semiconductor Corporation
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PMEG45U10EPDAZ |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A CFP15
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Nexperia USA Inc.
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RB160L-60TE25 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS
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Rohm Halbleiter
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Das ist die MBRM110ET1G |
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
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Einheitlich
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SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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SB10-05P-TD-E |
DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1
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Einheitlich
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SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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St. 110A |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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STMikroelektronik
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Bei der Prüfung der Leistung werden die folgenden Anforderungen erfüllt: |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE1
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Mikrochiptechnik
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SB10150 |
DIODE SCHOTTKY 150V 10A DO201AD
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SMC-Diodenlösungen
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SBR1045SP5-13 |
DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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RB551V-30TE-17 |
Diode SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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SF1600-TR |
DIODE AVALANCHE 1.6KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Beurteilung der Verbrennung |
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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B360B-E3/5BT |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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PMEG4005EGWJ |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Nexperia USA Inc.
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PMEG4010EGWJ |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
|
Nexperia USA Inc.
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S1M-E3/61T |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAT54L,315 |
DIODE SCHOTT 30V 200MA DFN1006-2
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Nexperia USA Inc.
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BAV21WS-7-F |
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323
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Dioden eingebunden
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