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DIODEN
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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DSEI60-02A |
DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD
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IXYS
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DSEP30-06A |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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IXYS
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DSEI20-12A |
DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC
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IXYS
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DSEI12-12A |
DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC
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IXYS
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MEO450-12DA |
DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6
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IXYS
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DSEI60-06A |
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
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IXYS
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DSDI60-18A |
DIODE GEN PURP 1.8KV 63A TO247AD
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IXYS
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DSEI120-06A |
DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD
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IXYS
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DSEI8-06A |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
DIODE SCHOTTKY 30V 3A 6CPH
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Einheitlich
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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BAV5004WS-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen in Anhang I der Rich
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Dioden eingebunden
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S5J |
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Taiwan Semiconductor Corporation
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ER3J |
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
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SMC-Diodenlösungen
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RB168M150TR |
DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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RB168M-40TR |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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RB060L-40TE25 |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
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Rohm Halbleiter
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SS310 |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
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Taiwan Semiconductor Corporation
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RB060M-30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 2A PMDU
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Rohm Halbleiter
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SS16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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Taiwan Semiconductor Corporation
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SS110 |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Taiwan Semiconductor Corporation
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SS210 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAT 54A |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwan Semiconductor Corporation
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RB520S-30 |
Die Anzeige ist in der Anzeige zu finden.
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Taiwan Semiconductor Corporation
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GS1A |
DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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APT60DQ120BG |
DIODE GP 1.2KV 60A TO247
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Mikrochiptechnik
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MURS360BT3G |
Diode GEN PURP 600V 3A SMB
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Einheitlich
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NRVB140SFT1G |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
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Einheitlich
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MURS160-13-F |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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BAT54S |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Die Nomenklatur ist die Nomenklatur der Nomenklatur. |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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APT30D120BG |
Diode GEN PURP 1,2 KV 30A bis 247
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Mikrochiptechnik
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MBR40250TG |
DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220
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Einheitlich
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MBR40250G |
DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2
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Einheitlich
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MUR8100EG |
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2
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Einheitlich
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MUR860G |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Einheitlich
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MBRS3100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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MBRS190T3G |
DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
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Einheitlich
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S3A |
DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
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Einheitlich
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NRVBA1H100NT3G |
Diode Schottky 100V 1A SMA
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist in Form von |
DIODE GEN PURP 600V 2A SMA
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Einheitlich
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MBRS260T3G |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Einheitlich
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MURA140T3G |
DIODE GEN PURP 400V 2A SMA
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
DIODE GP 75V 150MA MICROMELF
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR15U50SP5-13 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 50V 15A ist.
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb. |
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MURS320T3G |
DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
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Einheitlich
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MBRA340T3G |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Einheitlich
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Stellenabschnitte |
DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC
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STMikroelektronik
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MBRM140T1G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A Leistung
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Einheitlich
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