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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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RB160M-40TR |
Diode SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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BAS316,115 |
DIODEN-GEN PURP 100V 250MA SOD323
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Nexperia USA Inc.
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LL4148-GS18 |
DIODEN-GEN PURP 75V 300MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS16-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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BAS32L,115 |
DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
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Nexperia USA Inc.
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APT100S20BG |
Diode SCHOTTKY 200V 120A bis 247
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Mikrochiptechnik
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APT75DQ120BG |
Diode GP 1,2 KV 75A TO247
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Mikrochiptechnik
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JANTX1N4148-1 |
Diode GEN PURP 75V 200MA DO35
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Mikrochiptechnik
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PDS5100-13 |
Diode SCHOTTKY 100V 5A Leistung
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S310 |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
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Einheitlich
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SBRT15U50SP5-13 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 50V 15A ist.
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Dioden eingebunden
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PMEG060V100EPDZ |
Diode Schottky 60V 10A CFP15
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Nexperia USA Inc.
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ES3D-E3/57T |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SS34-E3/57T |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SS34 |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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Einheitlich
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VS-10MQ100NTRPBF |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS240-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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NSR20F30NXT5G |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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Einheitlich
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S8KC-13 |
Diode GEN PURP 800V 8A SMC
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Dioden eingebunden
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STTH102AY |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
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STMikroelektronik
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DFLS1100Q-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZLLS400TA |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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PD3S140-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Dioden eingebunden
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B340B-13-F |
Diode Schottky 40V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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Die BAT-Absolventen sind in den folgenden Kategorien aufgeführt: |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Infineon Technologies
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PD3S160-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Verbrennungsmenge zu verwend
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Dioden eingebunden
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BAT60AE6327HTSA1 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Infineon Technologies
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B340A-13-F |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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PMEG6020ER,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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PMEG10010ELRX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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MURS120-13-F |
DIODEN-GEN PURP 200V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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RB160MM-60TR |
Diode SCHOTTKY 60V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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B340AE-13 |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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ES1D-13-F |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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B1100-13-F |
Diode Schottky 100V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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US1K-13-F |
Diode GEN PURP 800V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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RRE07VSM4STR |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Rohm Halbleiter
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SD103AWS-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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SD103AW-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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B260A-13-F |
Diode Schottky 60V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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BAT46WJ,115 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Nexperia USA Inc.
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BAT54J115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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NSR0340HT1G |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
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Einheitlich
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RB751S40T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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1N4148WT-7 |
Diode GEN PURP 80V 125MA SOD523
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Dioden eingebunden
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BAS16XV2T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
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Einheitlich
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BAT54,215 |
Diode SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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1N4148WT |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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1N4148WS-7-F |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
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Dioden eingebunden
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