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Speicher-ICs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MT29F4G16ABADAH4-AIT: |
NAND Flash SLC 4G 256MX16 FBGA
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Mikrontechnologie
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M29W320DB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT48LC16M8A2P-75:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MT25QU512ABB8ESF-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAKAEDQ-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAKAEJP-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC-RAM 8G PARALLEL 1,75 GHz
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Maßnahmen gelten nicht für die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1372/2008 genannten Erzeugnisse. |
IC FLASH 1T MMC
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC32GAPALNA-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC8GAMALBH-AIT |
IC FLASH 64G MMC
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Mikrontechnologie
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M29W640FB70N6E |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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M29W800DB70N6E |
IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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W27C512-45Z |
IC EEPROM 512K PARALLEL 28DIP
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Winbond Elektronik
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W25X40VSSIG |
IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25X32VSSIG |
IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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MT25QU128ABB8ESF-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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M28W320FCB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen gelten nicht für die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Zwecke. |
EMMC 1024G MMC5.1 J59X AAT
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Mikrontechnologie
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MT25QU128ABA8E12-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24TBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QL256ABA8ESF-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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MT29F4G08ABADAWP: D |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT29F32G08CBADBWPR: D |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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W25X20VSNIG |
IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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MT4E-Funktion |
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
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Mikrontechnologie
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M29W128GH70N6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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W25X16VSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q80JVSNIQ |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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N25Q032A13ESC40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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M28W160CT70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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S29GL256N11TFI010 |
3.0 Page Mode Flash-Speicher mit 110 nm MirrorBitTM-Prozesstechnologie
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Spansion / Zypressen
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K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Speicher
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Halbleiter von Samsung
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W25X16AVSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25X64VSFIG |
IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC
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Winbond Elektronik
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K4S641632K-UC60 |
64 MB K-Die SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K9F2G08U0D-SCB0 |
256 M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
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Halbleiter von Samsung
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K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND-Flashspeicher
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Halbleiter von Samsung
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S29JL032H70TFI010 |
32M BIT CMOS 3,0V Flash-Speicher
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Spansion / Zypressen
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Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen: |
Speicher-IC
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Halbleiter von Samsung
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PC28F256M29EWLA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Mikrontechnologie
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MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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M29W400DB55N6E |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT25QU256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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