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Integrierte Schaltungen - IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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TL074IDR |
Operationsverstärker - OPampere viererverseilen lärmarmen JFET-Input
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Texas Instruments
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TL084CN |
IC OPAMP JFET 3MHZ 14DIP
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Texas Instruments
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CLC1005IST5X |
Hochgeschwindigkeitsbetriebsverstärker SGL Low Cost 2,7 V bis 5 V 260 MHz RR Amp
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Exar
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EL5462ISZ |
Hochgeschwindigkeitsbetriebsverstärker EL5462ISZ 300MHZ LW PWR CUR FEEDBACK AMP
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Intersil
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LM393AMX |
Analog-Vergleicher Dual-Vergleicher
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Fairchild Halbleiter
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MCP6542T-I/SN |
Analog-Vergleicher Dual 1.6V Schieben/Ziehen
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Mikrochiptechnik
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LM293DR2G |
Analoge Komparatoren 2-36V verdoppeln -25 bis 85 Gr. C
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Einheitlich
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LM2901DR2G |
Analog-Vergleicher 3-36V Qud-Vergleicher -40 bis 105°C
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Einheitlich
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LM2901DR |
Analog-Vergleicher Quad Diff In Temp
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Texas Instruments
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LM193DR |
Analog-Vergleicher Dual Diff GP
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Texas Instruments
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TLV3501AIDBVR |
Analog-Vergleicher 4,5 ns Hochgeschwindigkeits-Schienenverkehr
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Texas Instruments
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LMV331IDBVR |
Analog-Vergleicher Single GP LV
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Texas Instruments
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LM339N |
Analog-Vergleicher Quad-Differenz
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Texas Instruments
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IS64WV102416BLL-10MA3 |
SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
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ISSI
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BA10393N |
Analog-Vergleicher Dual-Vergleicher
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Rohm Halbleiter
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IS61LV6416-8TL |
SRAM 1Mb 64Kx16 8ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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BA10339F-E2 |
Analog-Vergleicher Quad-Vergleicher
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Rohm Halbleiter
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KA2803BDTF |
Analog-Vergleicher Erdleckdetektor
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Fairchild Halbleiter
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IS61LV6416-10TL |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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LM311DR |
Analog-Vergleicher Differential w/Strob
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Texas Instruments
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24LC64-I/SN |
IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC
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Mikrochiptechnik
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W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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TL331IDBVR |
Analog-Vergleicher Einfach/Doppeldifferenz
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Texas Instruments
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MT40A512M8RH-083E: B |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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IS61LV2568L-10T |
SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS63LV1024L-10TL-TR |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v
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ISSI
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W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
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Winbond Elektronik
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W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
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Winbond Elektronik
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IS63LV1024L-10TL |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS61LV6416-10BLI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS63LV1024L-10TLI |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS61LV12816L-10TLI |
SRAM 2Mb 128Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS61NLP51236-200B3LI |
SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Synchronisierung SRAM 3.3v
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ISSI
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EL5364IUZA |
Hochgeschwindigkeitsbetriebsverstärker EL5364IUZA TRPL 850 MHZ CFAW ENABLE
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Intersil
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IS61LPS51236A-200TQLI |
SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Synchronisierung SRAM 3.3v
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ISSI
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IS62WV10248DBLL-55TLI |
SRAM 8M (1Mx8) 55ns Async SRAM
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ISSI
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EL5364ISZ |
Hochgeschwindigkeitsbetriebsverstärker EL5364ISZ TRPL 850 MHZ CFAW ENABLE
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Intersil
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W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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CAT24C04WI-GT3 |
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Hochgeschwindigkeitsbetriebsverstärker EL5462ISZ 300MHZ LW PWR CUR FEEDBACK AMP
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Intersil
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W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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Winbond Elektronik
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W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
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Winbond Elektronik
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MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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M29W160EB70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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M29W320EB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT48LC4M32B2TG-7: G |
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
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Mikrontechnologie
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NCV2903DR2G |
Analog-Vergleicher 2-36V Doppelverlängerte Temperatur
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Einheitlich
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt |
Analog-Vergleicher Erdleckdetektor
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Fairchild Halbleiter
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