Die Ausrüstung ist in Form von
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
44.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
690mOhm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1370 pF @ 100 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
MDmesh™ K5
Supplier Device Package:
TO-247 Long Leads
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
250W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STWA12
Einleitung
N-Kanal 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) durch Loch TO-247 Langleitungen
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STFW3N150
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
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Stellvertretung
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Die Bezeichnung ist:
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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STP110N8F6 |
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
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Stellvertretung für die Überwachung der Sicherheit |
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
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Die Ausrüstung ist in der Lage, |
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
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STP20NM60FD |
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
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STFW3N150 |
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
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STD4NK60ZT4 |
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STP4NK60ZFP |
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
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Stellvertretung |
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
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Die Bezeichnung ist: |
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
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