Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 1,5mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 30A, 10V
FET Type:
N-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
250 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3610 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X3
Supplier Device Package:
TO-220AB (IXFP)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
320W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFP60
Einleitung
N-Kanal 250 V 60A (Tc) 320W (Tc) durch Loch TO-220AB (IXFP)
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
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