Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 1.5mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
160mOhm @ 11A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2310 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X2
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
22A (TC)
Power Dissipation (Max):
390W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Base Product Number:
IXFP22
Einleitung
N-Kanal 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) durch das Loch TO-220-3
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
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MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
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