IXFB100N50P

fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Betriebstemperatur:
-
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
49mOhm @ 50A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
20000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
PLUS264™
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFB100
Einleitung
N-Kanal 500 V 100A (Tc) 1890W (Tc) durch Loch PLUS264TM
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

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