Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
12.7 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
-
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
312 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Depletion
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
800mA (Tc)
Power Dissipation (Max):
60W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTY08
Einleitung
N-Kanal 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenhalter TO-252AA
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
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