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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
85mOhm @ 32A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8700 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
61A (Tc)
Power Dissipation (Max):
700W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN64
Einleitung
N-Kanal 500 V 61A (Tc) 700W (Tc) Fahrgestell SOT-227B
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