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IXTT16N20D2

fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
208 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
73mOhm @ 8A, 0V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
-
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5500 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Series:
Depletion
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Mfr:
IXYS
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
16A (Tc)
Power Dissipation (Max):
695W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Base Product Number:
IXTT16
Einleitung
N-Kanal 200 V 16A (Tc) 695W (Tc) Oberflächenhalter TO-268AA
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