IXTH200N10T

fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A bis 247
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
152 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5.5mOhm @ 50A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Trench
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200A (Tc)
Power Dissipation (Max):
550W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH200
Einleitung
N-Kanal 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) durch Loch TO-247 (IXTH)
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

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