Nachricht senden
Haus > produits > Halbleiter > IS61WV12816DBLL-10BLI

IS61WV12816DBLL-10BLI

fabricant:
ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
Beschreibung:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Category:
Integrated Circuits (ICs) Memory Memory
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tray
Series:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Memory Interface:
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page:
10ns
Supplier Device Package:
48-TFBGA (6x8)
Memory Type:
Volatile
Mfr:
ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
Memory Size:
2Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Access Time:
10 ns
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Memory Organization:
128K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technology:
SRAM - Asynchronous
Base Product Number:
IS61WV12816
Memory Format:
SRAM
Einleitung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 2Mbit Parallel 10 ns 48-TFBGA (6x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: