BSC0702LS
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 8TDSON
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Verlustleistung (maximal):
83W (Tc)
Bei Widerständen bei unterschiedlichen Id und Vgs (maximal):
2.3 Milliohm @ 50A, 10V
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs(th) (maximal) für verschiedene Id:
2.3V @ 49μA
Vgs (maximal):
± 20V
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Art der Installation:
Oberflächenbergart
Durchgangsaufladung (Qg) (maximal) bei unterschiedlichen Vgs:
30nC @ 4,5V
FET-Typ:
N-Kanal
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Funktion:
Standards
Abfluss-Quellspannung (Vdss):
60 V
Eingangskapazität (Ciss) (maximal) bei unterschiedlichen Vds:
4400pF @ 30V
Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id):
100A (Tc)
Lieferanten-Gerät-Verpacken:
SuperSO8
Verpackung/Hülle:
8-PowerTDFN
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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