FF1400R12IP4
fabricant:
Infineon Technologies
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
1400 A
Pd - Energieverschwendung:
7.65 kW
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
PRIME3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
Zweifach
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,05 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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