MJE253G
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 4A 100V 15W PNP
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
Durchs Loch
Maximaler DC-Kollektorstrom:
4 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
TO-225-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
40 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
100 V
Reihe:
MJE253
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
7 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0,6 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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