Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk bestehen.
fabricant:
Infineon Technologies
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
530 A
Pd - Energieverschwendung:
W 1250
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
HybridPack2
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
3 Phasen
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,4 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
Die FS600R07A2E3 von Infineon Technologies sind IGBT-Module. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die Fahrzeuge dürfen nicht mehr als zwei Jahre alt sein, wenn sie nicht mehr als drei Jahre alt sind.
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden.
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