Die Daten werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten übermittelt.
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
600 MA
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
140 V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
180 V
Reihe:
MMBT5550L
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
6 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0,15 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
Die MMBT5550LT1G, von onsemi, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: