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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
183 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 50A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Package:
Tube
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
10800 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Ultra X2
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
78A (Tc)
Power Dissipation (Max):
595W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN100
Einleitung
N-Kanal 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) Fahrgestell SOT-227B
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