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2N7002-7-F

fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Produktstatus:
Aktiv
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
50 pF @ 25 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Mfr:
Diodes Incorporated
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Power Dissipation (Max):
370mW (Ta)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
115mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
2N7002
Einleitung
N-Kanal 60 V 115 mA (Ta) 370 mW (Ta) Oberflächenanlage SOT-23-3
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