Spezifikationen
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Handelsbezeichnung:
TrenchFET
Packung / Gehäuse:
Einheit für die Bereitstellung von Daten
Verpackung:
Spirale
Hersteller:
Vishay Halbleiter
Einleitung
Das SI7390DP-T1-E3 von Vishay Semiconductors ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte

SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A

Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V

SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W

Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009.
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS

SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V

IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp

SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W

SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V

SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
![]() |
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
![]() |
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
![]() |
Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
![]() |
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
![]() |
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
![]() |
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
![]() |
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
![]() |
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: