FGAF40N60SMD
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 600 V 80 A 79 W
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Pd - Energieverschwendung:
79 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-3PF
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Schlauch
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,1 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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