FGH40N60SMD
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 600V, 40A Feldstop IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 400 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Pd - Energieverschwendung:
349 W
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,1 V
Packung / Gehäuse:
TO-247
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Schlauch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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