Einheit für die Berechnung der Leistungsfähigkeit
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 1200V, 12A IGBT; G-Serie
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
22 A
Pd - Energieverschwendung:
100 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,4 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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