Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Produktion von
fabricant:
IXYS
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
108 A
Pd - Energieverschwendung:
937 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
mit einem Strompegel von
Packung / Gehäuse:
PLUS247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
3 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
Der IXYX30N170CV1 von IXYS ist ein IGBT-Transistor. Wir bieten einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, der in Original- und neuen Teilen erhältlich ist.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
IXYX120N120C3
IXGT6N170A
IXGH6N170A
IXYH40N65C3H1
IXGH30N120B3D1
IXGH16N170
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
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IXYX120N120C3 |
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IXGT6N170A |
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IXGH6N170A |
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IXYH40N65C3H1 |
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IXGH30N120B3D1 |
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IXGH16N170 |
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