FGA50N100BNTD2
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren N-ch / 50A 1000V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 500
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Pd - Energieverschwendung:
156 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1000 V
Packung / Gehäuse:
TO-3PN
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
25 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,5 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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