Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
90 A
Pd - Energieverschwendung:
500 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
900 V
Packung / Gehäuse:
TO-247AD-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,2 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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