MJ11032G
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Darlington Transistors
Montageart:
Durchs Loch
Maximaler DC-Kollektorstrom:
50 A
Pd - Energieverschwendung:
300 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
120 V
Packung / Gehäuse:
TO-204-2 (TO-3)
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Tray
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
120 V
Reihe:
MJ11032
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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