MJD112T4G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Darlington Transistors
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
2 A
Pd - Energieverschwendung:
20 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
100 V
Reihe:
MJD112
Maximaler Sammler-Abschlussstrom:
20 MA
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
Die MJD112T4G, von onsemi, sind Darlington Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: