FGH25T120SMD
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 1200V, 25A Feldstop-Grench IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Pd - Energieverschwendung:
428 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+ /- 25 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,9 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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