FGD5T120SH
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 1200V 5A Feldstop-Grench IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 400 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
10 A
Pd - Energieverschwendung:
69 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
D-PAK-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 25 V
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,9 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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