IXBF32N300
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 100 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
40 A
Pd - Energieverschwendung:
160 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
3 KV
Packung / Gehäuse:
ISOPLUS-i4-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,8 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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