IXYB82N120C3H1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren XPT IGBT C3-Klasse 1200V/160A; Copack
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
164 A
Pd - Energieverschwendung:
1040 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
TO-264-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
30 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,75 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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