STGW30NC120HD
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren N-Kanal IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 100 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Pd - Energieverschwendung:
220 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 25 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,75 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Einleitung
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