STGW45HF60WD
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Pd - Energieverschwendung:
250 Watt
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,9 V
Packung / Gehäuse:
TO-247
Verpackung:
Schlauch
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
70 A
Hersteller:
STMikroelektronik
Einleitung
Die STGW45HF60WD, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
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