IXBT42N170
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren BIMOSFET 1700V 75A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
mit einem Strompegel von
Packung / Gehäuse:
TO-268-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,3 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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