FGH40T120SMD
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 1200V 40A FS2-Grench-IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/-400 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Pd - Energieverschwendung:
555 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
Die Angaben sind in Anhang I zu entnehmen.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 25 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,8 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FGH40T120SMD, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
FGH60N60UFDTU
FGH75T65UPD
FGH40N60SMDF
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
|
|
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
|
|
FGH60N60UFDTU |
|
|
|
|
FGH75T65UPD |
|
|
|
|
FGH40N60SMDF |
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: