HGTP12N60C3D
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren HGTP12N60C3D
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 100 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
24 A
Pd - Energieverschwendung:
104 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,65 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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