IXGH50N90B2D1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 50 Ampere 900V 2,7 Rds
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
75 A
Pd - Energieverschwendung:
400 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
900 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,2 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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