IXGH48N60A3D1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren G-Serie A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Pd - Energieverschwendung:
300 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-247AD-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Schlauch
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.18 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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