IXGR32N170H1
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
38 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,7 KV
Packung / Gehäuse:
ISOPLUS247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
3,5 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
Der IXGR32N170H1 von IXYS ist ein IGBT-Transistor. Wir bieten einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, in Original- und Neuteilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Related Products

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

IXYX120N120C3

IXGT6N170A

IXGH6N170A

IXYH40N65C3H1

IXGH30N120B3D1

IXGH16N170

Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Produktion von
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: