IXGA30N120B3
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren GenX3 1200V IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
60 A
Pd - Energieverschwendung:
300 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
TO-263-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2.96 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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