IXDR30N120D1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 30 Ampere 1200 V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 500
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Pd - Energieverschwendung:
200 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
ISOPLUS247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,4 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
Der IXDR30N120D1, von IXYS, ist IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
IXYX120N120C3
IXGT6N170A
IXGH6N170A
IXYH40N65C3H1
IXGH30N120B3D1
IXGH16N170
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Produktion von
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: