Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren SPM für Front-End-Rectifier;Motion-SPM
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
250 MA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Pd - Energieverschwendung:
104 W
Höchstbetriebstemperatur:
+ 125 °C
Verpackung:
Schlauch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
30 A
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FPAB30BH60B, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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