IXGK120N120A3
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 120 Ampere 1200 V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
240 A
Pd - Energieverschwendung:
830 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
TO-264-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,85 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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