IXXH80N65B4H1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT Transistoren 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
160 A
Pd - Energieverschwendung:
625 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
TO-247AD-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,65 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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