STGW80H65DFB
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
120 A
Pd - Energieverschwendung:
469 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,6 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Einleitung
Die STGW80H65DFB, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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