FGA30S120P
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren mit kurzer AnodeTM IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 500
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
60 A
Pd - Energieverschwendung:
174 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1300 V
Packung / Gehäuse:
TO-3PN
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
25 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,3 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FGA30S120P, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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